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MEMS用曝光装置

配备适用于20mm最大φ8英寸的晶圆,具有最小5微米(MICRON)L/S规格之等倍投影曝光光学系统的曝光装置。

MEMS用途上,配备具有较深度焦点深度(最大±50微米(MICRON))之USHIO独特投影镜头,最适合对高低差异基板的曝光、及凹凸基板的曝光,甚至压膜光阻的曝光。此外,亦可透过背面对位(选购配备)对背面曝光。

特征

・较深的焦点深度
配备具有最大±50μ焦点深度的投影镜片。

・高精度校正
采用TTL测光方式。
直接使用各个显微镜观察遮罩/工作记号进行校正,因此可执行高精确度校正。

・光罩无损害
光罩与作产品完全不接触,因此不造成损坏,光罩可半永久使用。

・抗污垢与残留异物的构造
可安装附薄膜的光罩,因此可忽视光罩类型面上的污垢执行曝光。
此外,为了在光罩类型面对焦,其构造可抗光罩上的污垢。

・简易维护与操作
因为曝光时无须驱动,一年一次校正即可。操作与选单管理的重现亦完整。

主要用途

MEMS

3D封装
重新接线层的曝光
各种电子零件
电源装置
SU8等压膜电阻等


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